RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
51
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
38
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3183
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link