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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3422
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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