RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2851
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link