RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
15.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3950
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link