RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
15.6
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3860
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link