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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24.7
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
24.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
19.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
4174
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
AMD R334G1339U2S 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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