RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
51
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
19
Velocità di lettura, GB/s
15.6
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3355
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link