Confronto tra le RAM Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 15.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 51

Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.7 11.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2687 2704

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns