RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
51
Intorno -50% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
34
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2353
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link