RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
51
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
33
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3327
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CM2X2048-8500C5D 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link