RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
51
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
31
Velocità di lettura, GB/s
15.6
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3509
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link