RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
51
Intorno -34% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
38
Velocità di lettura, GB/s
15.6
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2400
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link