RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
15.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2785
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link