RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
54
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
54
Velocità di lettura, GB/s
15.6
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2354
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link