RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
34
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
34
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
2616
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link