RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2711
2641
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link