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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
41
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
35
Velocità di lettura, GB/s
10.7
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
2237
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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