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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Confronto
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
46
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1959
3215
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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