RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
37
Velocità di lettura, GB/s
14.3
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2583
2389
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link