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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
3188
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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