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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
3963
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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