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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Confronto
Mushkin 991586 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991586 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Mushkin 991586 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
26
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
21
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2156
4089
Mushkin 991586 2GB Confronto tra le RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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