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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Motivi da considerare
INTENSO 5641160 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
63
Intorno -174% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
23
Velocità di lettura, GB/s
7.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1130
2613
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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