Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    42 left arrow 63
    Intorno -50% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 5.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    63 left arrow 42
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.7 left arrow 13.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.0 left arrow 9.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1130 left arrow 2427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti