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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Confronto
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
36
Velocità di lettura, GB/s
7.7
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1130
2734
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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