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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
81
Intorno 72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
81
Velocità di lettura, GB/s
14.0
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2388
1651
Mushkin 991988 (996988) 4GB Confronto tra le RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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