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Mushkin 992008 (997008) 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Confronto
Mushkin 992008 (997008) 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
53
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
53
Velocità di lettura, GB/s
15.4
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2820
2333
Mushkin 992008 (997008) 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
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