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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
24
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.1
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.9
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
18
Velocità di lettura, GB/s
13.2
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
16.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2301
3971
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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