RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2301
3169
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link