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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2046
2892
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
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Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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