RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
2163
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link