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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3729
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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