RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3023
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link