RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3540
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link