RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
37
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
31
Velocità di lettura, GB/s
13.9
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3878
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link