RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3567
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link