RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2395
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link