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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
94
Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
5.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
4.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
94
Velocità di lettura, GB/s
13.9
5.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
4.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
1334
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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