Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 37
    Intorno -23% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.4 left arrow 13.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.1 left arrow 8.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 12800
    Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 16.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.6 left arrow 13.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2395 left arrow 3310
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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