RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
55
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
55
Velocità di lettura, GB/s
13.9
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2230
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link