RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
29
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
3098
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link