RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Confronto
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2075
3132
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB Confronto tra le RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link