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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
40
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
40
Velocità di lettura, GB/s
14.9
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2674
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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