RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
36
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
19
Velocità di lettura, GB/s
14.9
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
3066
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link