RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
36
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.3
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
29
Velocità di lettura, GB/s
14.9
21.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
4506
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link