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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
35
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2434
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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