RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
14.9
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2443
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link