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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
36
Intorno -64% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
22
Velocità di lettura, GB/s
14.9
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2611
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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