RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
61
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
61
Velocità di lettura, GB/s
14.9
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
1813
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link