RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
63
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
63
Velocità di lettura, GB/s
14.9
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2292
2162
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link